全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)技术凭借其卓越的性能和能效，已成为全球众多关键玩家的首选。在通信领域，FD-SOI因其优异的射频（RF）特性广泛应用于5G毫米波（mmWave）和5G sub-6 GHz频段，支持移动基础设施和WiFi 6等高速无线通信标准。

pmos 栅极 低功耗 10nm gallezot 2025-10-05 16:13  1

标准单元standard cell是ASIC设计流程中作为基本构建块使用的定义明确和预先表征pre-characterized的单元。所有这些cell的高度相等，可以轻松放入标准单元行row中，并节省了大量ASIC设计时间。

芯片 pmos vdd vss tracks 2025-09-23 00:50  4

A Quick look at 14-nm and 10-nm Devices，由Siliconics的Dick James撰写，主要对全球主要半导体制造厂商在14nm和10nm工艺节点上的技术进展和器件结构进行了简要分析和对比。

器件 pmos 栅极 10nm 14nm 2025-09-12 00:03  4

从早期设计自带线的移动电源，到近期各大品牌主推的“拉拉线”移动电源，各品牌都在便携、实用与颜值之间找到了各自的平衡。其凭借无需额外携带数据线，随取随用、收纳方便等优势，迅速俘获大批用户。

器件 电源 移动电源 pmos nmos 2025-09-09 11:36  3

现在在电路设计时都在省成本，能不用的元件坚决不用，基本只有一个保险做短路保护，这也是最后一道防线，如果因为电源损坏或者其他元件损坏，造成过电压，造成电路板芯片，单片机等损坏，便宜点芯片还可以，几百块的ADC芯片可烧不起。尤其在测试时，难免会出现未知的错误，我在

芯片 电路 pmos 低电平 主回路 2025-05-22 08:00  16

从早期的平面 CMOS 工艺到先进的 FinFET，p 型衬底在集成电路设计中持续被广泛采用。为什么集成电路的制造更偏向于P型硅？

芯片 cmos pmos nmos vdd 2025-05-14 02:59  17

国家知识产权局信息显示，深圳市晶扬电子有限公司申请一项名为“一种能够替代PMOS管的开关芯片”的专利，公开号CN 118984150 A，申请日期为2024年10月。

芯片 开关 pmos 2024-11-22 14:43  17